Author

혼잡 진입 제어 장치 및 방법

기술개요

본 기술은 네트워크에 대해 핑 테스트를 수행하여, 제1 패킷의 RTT를 획득하는 단계, 그리고 RTT를, LQ와 비교하여, 트래픽의 전송여부를 결정하는 단계를 통해 네트워크 혼잡 제어를 수행하는 단말 및 혼잡 제어 방법이 포함됨

자세한 내용은 [첨부] 기술자료 참조

휴대폰의 위치 안내 방법

기술개요

본 기술은 휴대폰의 위치 안내 방법에 관한 것으로, 휴대폰에서 일정 시간 출력신호를 송출하여 휴대폰의 위치를 찾을 수 있는 휴대폰의 위치 안내 방법임. 분실 휴대폰은 남은 전력이 일정 전력치에 근접하는 경우 분실휴대폰의 전원을 오프시키고, 통신사와 통신을 위한 대기 모드로 대기하며, 복수의 신호에 따라 해당 위치를 파악함

자세한 내용은 [첨부] 기술자료 참조

등방압 가압법을 이용한 금속 나노와이어 전극 및 그의 제조방법

기술개요

본 기술은 등방압 가압법을 이용한 금속 나노와이어 전극의 제조방법을 제공하는 것으로서, 금속 나노와이어 전극의 제조방법에 의해 제조된 금속 나노와이어 전극을 포함하는 플렉서블 역구조 유기 태양 전지(flexible IOSCs)를 제공함

자세한 내용은 [첨부] 기술자료 참조

그라펜시트, 이를 포함하는 투명 전극, 활성층, 이를 구비한 표시소자, 전자소자, 광전소자, 배터리, 태양전지 및 염료감응 태양전지

기술개요

본 기술은 그라펜시트, 이를 포함하는 투명전극, 활성층, 이를 구비한 표시소자, 전자소자, 광전소자, 배터리, 태양전지 및 염료감응 태양전지에 관한것으로, 1 내지 20 층의 그라펜을 포함하는 하부시트 및 하부시트상에 형성되며, 하부시트보다 많은 층의 그라펜을 포함하는 리지(ridge)를 포함하고, 리지는 금속의 결정립경계(grain boundary) 형상인 것인 그라펜시트을 제공함

자세한 내용은 [첨부] 기술자료 참조

질화물계 발광다이오드 제조 방법

기술개요

본 기술은 질화물계 발광다이오드 제조방법에 관한 것으로, 산화아연 나노구조의 밀도를 높일수 있는 TCO(transparent conductive oxide)층을 제작하고, TCO층의 아연 조성비를 제어하여 표면으로 갈수록아연의 농도를 높여 고밀도의 산화아연 나노구조를 성장할 수 있도록 하는 기술임

자세한 내용은 [첨부] 기술자료 참조

중간시점 영상 생성기를 갖는 표면 거칠기 측정 장치

기술개요

본 기술은 중간시점 생성기를 갖는 표면 거칠기 측정 장치 및 방법에 관한 것으로, 광원을 이용하여 복수의 방향에서 시료를 향하여 순차적으로 빛을 조사하고, 촬영된 영상에서 픽셀의 밝기 값을 이용하여 광원 위치를 구하고 광원 위치 벡터로부터 픽셀의 반사율을 분석하여, 픽셀의 표면에 입사하는 광원의 각도와 표면에서 관찰자 위치로 반사되는 각도를 구하고 이에 대한 양방향 각도에 해당하는 양방향 반사 분포함수의 값을 중간시점 영상의 밝기 값으로 하여 중간시점 영상을 생성할 수 있는 기법임

자세한 내용은 [첨부] 기술자료 참조